Numărul de produs al producătorului:
TSM2N60SCW RPG
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM2N60SCW RPG-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventar:
12897928
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM2N60SCW RPG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
600mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
435 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-223
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
TSM2
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TSM2N60SCW RPGCT-DG
TSM2N60SCWRPGTR
TSM2N60SCWRPGCT
TSM2N60SCW RPGDKR
TSM2N60SCWRPGDKR
TSM2N60SCW RPGTR
TSM2N60SCW RPGCT
TSM2N60SCW RPGTR-DG
TSM2N60SCW RPGDKR-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STN3N45K3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
12537
DiGi NUMĂR DE PARTE
STN3N45K3-DG
PREȚ UNIC
0.34
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TSM150NB04LCR RLG
MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
TSM7ND60CI
MOSFET N-CH 600V 7A ITO220
TSM060N03CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
